Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (TRANSISTOR, MOS-FET, DIODE) DVN 210
Mã sản phẩm : TR9468
Thương hiệu: CAT5
Tình trạng:
Đặt trước
Liên hệ
Đo kháng nhiệt chuyển động (θjc) của transistor, MOS-FET và diode dưới dạng thay đổi nhiệt độ (ΔmV) của điểm nối PN. Được trang bị chức năng kiểm tra tiếp xúc và phát hiện dao động.
DVFN 2050 là một thiết bị đo kháng nhiệt với hiệu suất tối đa của 2000 V áp dụng. Có thể áp dụng trong 999 giây với dòng điện 1200 W và lý tưởng cho việc đánh giá nhiệt của các thiết bị công suất cao áp.
Đây là một mô hình cải tiến của loại 1000V, 100A đã được giới thiệu nhiều lần trong phòng R&D, phòng đánh giá và các phòng khác. Đối với cài đặt 39,9 A, có thể áp dụng trong thời gian lên đến 999 giây.
Đánh giá Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (TRANSISTOR, MOS-FET, DIODE) DVN 210
Bạn chưa đánh giá sao cho sản phẩm này
Đánh giá ngay