Transient thermal resistance test systems

Bộ phân tích thiết bị công suất GaAs (GaAs-FET) DGV-J 10

  DGV-J 10 tăng áp VD lên 100 V, cho phép ứng dụng công suất lên đến 200 W. Thời gian công suất là 9,99 giây, ΔVGS được đo với độ phân giải 0,1 mV.          

Hệ thống thử nghiệm kháng nhiệt công suất cao (TRANSISTOR, IGBT, DIODE) DVF 540 ZZ GC

  DVF540ZZGC là một bộ kiểm tra kháng nhiệt công suất cao với dòng điện tối đa là 3600A. Khu vực công suất mạnh mẽ này lý tưởng cho việc đánh giá nhiệt độ của các bán dẫn công suất như các mô-đun công suất.            

Hệ thống thử nghiệm đo kháng nhiệt/nhiệt độ IPS (INTELLIGENT POWER SWITCH) DVIPS-L30A

Chúng tôi đo các đặc tính khác nhau như kiểm soát, điều khiển, thay đổi nhiệt độ và hoạt động tự chẩn đoán trong IPS với độ chính xác cao.        Please click for more information.    

Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động của đèn LED (LED) DVLE-D 03

  DVLE - D 03 có thể đo liên tục bằng cách chuyển đổi các LED với tối đa 20 yếu tố. Thời gian công suất là 9.990 giây, VF được hiển thị lên đến 32.000 mV.            

Hệ thống thử nghiệm khu vực hoạt động an toàn của bán dẫn (IGBT, DIODE) DDVF 024 ZZ

  Nó đo kháng nhiệt của diode và đo kháng nhiệt bằng cách sử dụng điện áp VCEON của IGBT và có công suất ứng dụng lên đến 2400A. Bằng cách lắp đặt một lò nhiệt tùy chọn trong hệ thống, nhiệt độ của lò nhiệt có thể được điều chỉnh tự do, từ đó có thể…

Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (MOS-FET, IGBT, DIODE) DVFN 230 Z

Đây là một bộ kiểm tra kháng nhiệt công suất cao với công suất lên đến 300 A - 20 kV được áp dụng.            

Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (MOS-FET, MOS-FET, IGBT, DIODE) DVFN 1010 Z

  Đây là một mô hình cải tiến của loại 1000V, 100A đã được giới thiệu nhiều lần trong phòng R&D, phòng đánh giá và các phòng khác. Đối với cài đặt 39,9 A, có thể áp dụng trong thời gian lên đến 999 giây.          

Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (TRANSISTOR, MOS-FET, DIODE) DVN 210

  Đo kháng nhiệt chuyển động (θjc) của transistor, MOS-FET và diode dưới dạng thay đổi nhiệt độ (ΔmV) của điểm nối PN. Được trang bị chức năng kiểm tra tiếp xúc và phát hiện dao động.          

Thiết bị đo kháng nhiệt chuyển động (TRANSISTOR, MOS-FET, IGBT, DIODE) DVFN 2050

  DVFN 2050 là một thiết bị đo kháng nhiệt với hiệu suất tối đa của 2000 V áp dụng. Có thể áp dụng trong 999 giây với dòng điện 1200 W và lý tưởng cho việc đánh giá nhiệt của các thiết bị công suất cao áp.